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技術文章

各種儀器分析的基本原理及譜圖表示方法

日期:2016-02-22 信息來源:本站

1
紫(zi)外吸收光(guang)譜  UV


分析原(yuan)理:吸收紫外光能(neng)量,引起分子中電子能(neng)級的躍遷

譜圖的表示方法:相對吸收(shou)光(guang)能量(liang)隨吸收(shou)光(guang)波長的變化  

提供的(de)(de)信息(xi):吸收峰的(de)(de)位(wei)置、強度和(he)形狀,提供分(fen)子(zi)中不同電子(zi)結構的(de)(de)信息(xi)


2
熒光(guang)光(guang)譜法 FS


分析原理:被電磁輻射(she)激發后(hou),從(cong)最低單(dan)線激發態回到(dao)單(dan)線基(ji)態,發射(she)熒光(guang)  

譜(pu)圖的表示方(fang)法(fa):發射的熒光(guang)能量隨(sui)光(guang)波(bo)長的變化  

提供(gong)(gong)的信息:熒光效率和壽命(ming),提供(gong)(gong)分子中(zhong)不同電子結(jie)構的信息


3
紅(hong)外吸收光譜法 IR


分(fen)析原理(li):吸收紅外光能(neng)量,引起具有偶極矩變化(hua)的分(fen)子(zi)的振動、轉動能(neng)級躍遷  

譜(pu)圖的表示方法:相對透射光能(neng)量隨透射光頻率變化  

提供的信息(xi):峰的位置、強度(du)和形狀,提供功(gong)能(neng)團或化學鍵的特征振動頻率


4
拉曼光譜(pu)法 Ram


分析原理(li):吸(xi)收光能(neng)后,引起具(ju)有極化率變化的分子(zi)振動(dong),產生(sheng)拉(la)曼散(san)射(she) 

譜圖的表示方法:散射光能量(liang)隨拉曼位移的變化  

提供的信息:峰的位置、強(qiang)度和形狀,提供功能團或(huo)化學鍵的特征振動(dong)頻率


5
核(he)磁共振波譜法 NMR



分(fen)析原(yuan)理:在(zai)外磁場(chang)中(zhong),具(ju)有核磁矩的原(yuan)子(zi)核,吸(xi)收(shou)射頻能量(liang),產生(sheng)核自旋能級的躍(yue)遷

譜(pu)圖的表示方法:吸(xi)收光能量隨化學位(wei)移(yi)的變(bian)化  

提(ti)(ti)供(gong)(gong)的信息:峰的化(hua)學位移、強度、裂(lie)分數(shu)和(he)偶合(he)常(chang)數(shu),提(ti)(ti)供(gong)(gong)核的數(shu)目、所處化(hua)學環境和(he)幾(ji)何(he)構(gou)型(xing)的信息


6
電子(zi)順磁共振波譜法 ESR


分(fen)析(xi)原(yuan)理:在(zai)外磁場中,分(fen)子(zi)中未(wei)成對電子(zi)吸收射(she)頻能(neng)量,產生電子(zi)自旋(xuan)能(neng)級躍(yue)遷 

譜圖(tu)的(de)表示方法:吸收光能量或微(wei)分能量隨磁(ci)場強(qiang)度(du)變化  

提供(gong)的信息:譜線位置、強(qiang)度、裂分數目和超精細分裂常數,提供(gong)未成(cheng)對電子(zi)密度、分子(zi)鍵特性及幾何構型信息


7
質譜分析法 MS



分(fen)析(xi)原(yuan)理:分(fen)子(zi)在(zai)真空中被(bei)電(dian)子(zi)轟擊,形成離子(zi),通過電(dian)磁場按不同m/e分(fen)離  

譜圖(tu)的(de)表示方法:以棒圖(tu)形(xing)式表示離子的(de)相對峰(feng)度(du)隨m/e的(de)變化(hua)  

提供的信息:分子離子及(ji)碎片離子的質量數及(ji)其相對峰度,提供分子量,元素(su)組(zu)成及(ji)結構的信息


8
氣相色譜法 GC


分析原理:樣品中各組分在流(liu)動相(xiang)和固定相(xiang)之間(jian),由于分配系數不同(tong)而分離  

譜(pu)圖的表示方法(fa):柱后流出物濃(nong)度隨保留值的變化(hua)  

提供的信息:峰的保留值與組分(fen)熱力學參數有關,是定性依據(ju);峰面(mian)積與組分(fen)含(han)量(liang)有關


9
反氣相色譜法(fa) IGC


分(fen)析(xi)原(yuan)理:探針分(fen)子(zi)保留值(zhi)的(de)變化取(qu)決于它(ta)和作為固定相的(de)聚(ju)合物樣品之間(jian)的(de)相互作用力(li) 

譜圖的(de)表示方(fang)法:探針分(fen)子比保(bao)留體積(ji)的(de)對(dui)數值(zhi)隨柱溫(wen)倒數的(de)變化曲線  

提供(gong)的(de)信(xin)息:探針分子保留值與溫度的(de)關(guan)系提供(gong)聚合物的(de)熱力學參數(shu)


10
裂解氣(qi)相(xiang)色譜法 PGC


分(fen)析原(yuan)理:高分(fen)子材料在(zai)一(yi)(yi)定(ding)條件下(xia)瞬間裂(lie)解,可獲得具有(you)一(yi)(yi)定(ding)特(te)征(zheng)的(de)碎片  

譜(pu)圖的表示方法:柱后(hou)流出物濃度隨保留值的變化  

提供的信息:譜圖(tu)的指紋性或特征碎(sui)片峰,表征聚合物(wu)的化學(xue)結構和(he)幾何構型


11
凝膠色(se)譜法 GPC


分(fen)(fen)析(xi)原(yuan)理:樣品通過(guo)凝膠(jiao)柱時,按分(fen)(fen)子(zi)的流(liu)體力學體積不同進行(xing)分(fen)(fen)離,大分(fen)(fen)子(zi)先流(liu)出

譜圖的(de)表示方法:柱后(hou)流出物濃度(du)隨保(bao)留值的(de)變化(hua)  

提供的(de)(de)信息:高聚物(wu)的(de)(de)平均分(fen)子量及(ji)其分(fen)布(bu)


12
熱重法 TG


分析原理(li):在(zai)控溫環境中(zhong),樣品重量(liang)隨溫度或時(shi)間變化  

譜圖的(de)(de)表示方(fang)法:樣品的(de)(de)重量分(fen)數(shu)隨溫度或時間的(de)(de)變化曲(qu)線  

提(ti)供的信息:曲線陡降處為樣品(pin)(pin)失重區(qu),平臺(tai)區(qu)為樣品(pin)(pin)的熱穩定區(qu)


13
熱差分析 DTA


分析原(yuan)理:樣品與參比物處于同一控溫環(huan)境中,由于二者導熱系數不同產生溫差,記錄溫度隨環(huan)境溫度或時間的(de)變化 

譜圖的(de)表示方(fang)法:溫(wen)差隨環境溫(wen)度或時間的(de)變(bian)化(hua)曲線  

提供(gong)的信息:提供(gong)聚合物熱轉變溫度及各種熱效應的信息


14
示(shi)差掃描(miao)量熱分析 DSC


分析原理:樣品與(yu)參比物處于同一控溫(wen)環境(jing)(jing)中,記錄(lu)維持(chi)溫(wen)差為(wei)零時(shi),所需能量隨環境(jing)(jing)溫(wen)度或時(shi)間的變(bian)化(hua)

譜圖的表示方法:熱量(liang)或其變化率隨環(huan)境溫度或時間的變化曲(qu)線  

提供的(de)信息:提供聚合物熱轉(zhuan)變溫度及各種(zhong)熱效應的(de)信息


15
靜(jing)態熱―力分(fen)析 TMA


分析原理:樣品(pin)在恒力作用(yong)下產生的形變(bian)隨溫度(du)或時間變(bian)化  

譜(pu)圖的表示方法:樣品(pin)形變(bian)值隨溫度或時間(jian)變(bian)化(hua)曲線(xian)  

提供的信息:熱轉變溫度和力學狀(zhuang)態


16
動態熱(re)―力分析 DMA


分析原理:樣品(pin)在周期性變(bian)化(hua)(hua)的(de)(de)外力作用(yong)下產生(sheng)的(de)(de)形(xing)變(bian)隨(sui)溫度的(de)(de)變(bian)化(hua)(hua)  

譜圖的表示(shi)方(fang)法(fa):模量或(huo)tgδ隨溫度(du)變化曲線(xian)  

提供的(de)信息:熱轉變(bian)溫度模量和tgδ


17
透(tou)射電子顯微術 TEM


分析原理:高能電子束穿透(tou)試樣時發生散射、吸收、干(gan)涉和(he)衍射,使得在相平面形成襯(chen)度,顯示出圖象

譜圖(tu)的表示方法:質厚襯度(du)象、明場(chang)衍襯象、暗場(chang)衍襯象、晶格條(tiao)紋(wen)象、和分子象

提供的(de)信息:晶(jing)(jing)體形貌、分(fen)子量分(fen)布、微孔(kong)尺寸分(fen)布、多相(xiang)結構和晶(jing)(jing)格與缺陷(xian)等


18
掃描(miao)電子顯微術 SEM


分析原理:用(yong)(yong)電子(zi)技術檢測高能電子(zi)束(shu)與樣品作用(yong)(yong)時產生(sheng)二次(ci)電子(zi)、背散射(she)電子(zi)、吸收(shou)電子(zi)、X射(she)線等并(bing)放大成象  

譜圖的(de)表示方法:背散射象(xiang)、二次電(dian)子(zi)象(xiang)、吸收(shou)電(dian)流象(xiang)、元素的(de)線分布和面(mian)分布等  

提供的信(xin)息:斷(duan)口形貌、表面顯微結(jie)構(gou)、薄膜內部的顯微結(jie)構(gou)、微區元素分(fen)析與定(ding)量元素分(fen)析等(deng)


19
原子吸收(shou)AAS



原(yuan)理(li):通過原(yuan)子(zi)化(hua)器將待(dai)測試樣原(yuan)子(zi)化(hua),待(dai)測原(yuan)子(zi)吸(xi)收待(dai)測元(yuan)素空心陰極燈的(de)光(guang),從而(er)使用檢測器檢測到(dao)的(de)能量(liang)變低,從而(er)得到(dao)吸(xi)光(guang)度。吸(xi)光(guang)度與(yu)待(dai)測元(yuan)素的(de)濃度成正比。


20
(Inductivecouplinghighfrequencyplasma)電(dian)感耦合高頻等離子體(ti)ICP


原理:利(li)用氬等離子(zi)體(ti)產(chan)生的高溫使用試樣完全分解形(xing)成(cheng)激(ji)發(fa)(fa)(fa)態的原子(zi)和離子(zi),由于激(ji)發(fa)(fa)(fa)態的原子(zi)和離子(zi)不穩定,外(wai)層電子(zi)會從(cong)激(ji)發(fa)(fa)(fa)態向(xiang)低(di)的能級躍(yue)遷,因此發(fa)(fa)(fa)射出特征的譜線。通過(guo)光柵等分光后,利(li)用檢測(ce)器檢測(ce)特定波長的強度,光的強度與待(dai)測(ce)元(yuan)素濃度成(cheng)正比。


21
X-raydiffraction,x射(she)線衍射(she)即XRD



X射(she)(she)(she)線(xian)(xian)(xian)是原子內層電(dian)子在(zai)高速運動電(dian)子的轟擊(ji)下躍遷而產(chan)(chan)生(sheng)的光輻射(she)(she)(she),主要有連(lian)續X射(she)(she)(she)線(xian)(xian)(xian)和特征X射(she)(she)(she)線(xian)(xian)(xian)兩種。晶體可(ke)被(bei)用作(zuo)X光的光柵(zha),這些很大數目的原子或離子/分子所產(chan)(chan)生(sheng)的相(xiang)干(gan)散射(she)(she)(she)將會(hui)發生(sheng)光的干(gan)涉(she)作(zuo)用,從而影響散射(she)(she)(she)的X射(she)(she)(she)線(xian)(xian)(xian)的強度增強或減弱。由于大量原子散射(she)(she)(she)波的疊(die)加,互相(xiang)干(gan)涉(she)而產(chan)(chan)生(sheng)最大強度的光束稱為X射(she)(she)(she)線(xian)(xian)(xian)的衍(yan)射(she)(she)(she)線(xian)(xian)(xian)。


滿足衍(yan)射條件,可應(ying)用布拉格公式:2dsinθ=λ


應用(yong)已(yi)知(zhi)波長(chang)的X射線來(lai)測量(liang)(liang)θ角,從(cong)(cong)而計算出(chu)晶(jing)面間距d,這是用(yong)于X射線結構分析;另一個是應用(yong)已(yi)知(zhi)d的晶(jing)體(ti)來(lai)測量(liang)(liang)θ角,從(cong)(cong)而計算出(chu)特征X射線的波長(chang),進而可(ke)在已(yi)有(you)資(zi)料(liao)查出(chu)試樣中所含的元素。


22
高(gao)效毛細管電泳(highperformancecapillaryelectrophoresis,HPCE)CZE的基(ji)本(ben)原理(li)


HPLC選用(yong)的(de)毛細(xi)管(guan)(guan)一(yi)般(ban)內徑約為(wei)50μm(20~200μm),外徑為(wei)375μm,有(you)效長度為(wei)50cm(7~100cm)。毛細(xi)管(guan)(guan)兩(liang)端(duan)分(fen)(fen)別浸(jin)入兩(liang)分(fen)(fen)開的(de)緩(huan)(huan)沖(chong)(chong)液(ye)(ye)中(zhong),同(tong)(tong)時兩(liang)緩(huan)(huan)沖(chong)(chong)液(ye)(ye)中(zhong)分(fen)(fen)別插入連(lian)有(you)高(gao)壓(ya)(ya)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji),該(gai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)使(shi)得分(fen)(fen)析樣品沿毛細(xi)管(guan)(guan)遷(qian)(qian)(qian)移,當分(fen)(fen)離(li)樣品通過(guo)(guo)檢(jian)測器時,可對樣品進(jin)(jin)行(xing)分(fen)(fen)析處理(li)。HPLC進(jin)(jin)樣一(yi)般(ban)采用(yong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)動(dong)(dong)(dong)力學(xue)進(jin)(jin)樣(低電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya))或(huo)流(liu)體力學(xue)進(jin)(jin)樣(壓(ya)(ya)力或(huo)抽(chou)吸(xi))兩(liang)種方(fang)(fang)式。在(zai)毛細(xi)管(guan)(guan)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)泳系統中(zhong),帶(dai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)溶(rong)質(zhi)(zhi)(zhi)在(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)場作(zuo)(zuo)(zuo)用(yong)下發生定向(xiang)遷(qian)(qian)(qian)移,其(qi)(qi)表(biao)觀(guan)遷(qian)(qian)(qian)移速度是溶(rong)質(zhi)(zhi)(zhi)遷(qian)(qian)(qian)移速度與溶(rong)液(ye)(ye)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)滲流(liu)速度的(de)矢量和。所(suo)(suo)謂(wei)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)滲是指(zhi)在(zai)高(gao)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)作(zuo)(zuo)(zuo)用(yong)下,雙電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)層中(zhong)的(de)水(shui)合陰離(li)子引起(qi)流(liu)體整體地朝負(fu)極(ji)方(fang)(fang)向(xiang)移動(dong)(dong)(dong)的(de)現象;電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)泳是指(zhi)在(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)解質(zhi)(zhi)(zhi)溶(rong)液(ye)(ye)中(zhong),帶(dai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)粒子在(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)場作(zuo)(zuo)(zuo)用(yong)下,以不同(tong)(tong)的(de)速度向(xiang)其(qi)(qi)所(suo)(suo)帶(dai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷相反方(fang)(fang)向(xiang)遷(qian)(qian)(qian)移的(de)現象。溶(rong)質(zhi)(zhi)(zhi)的(de)遷(qian)(qian)(qian)移速度由其(qi)(qi)所(suo)(suo)帶(dai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷數和分(fen)(fen)子量大(da)小決定,另(ling)外還受緩(huan)(huan)沖(chong)(chong)液(ye)(ye)的(de)組(zu)成、性質(zhi)(zhi)(zhi)、pH值等多種因素影響。帶(dai)正(zheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷的(de)組(zu)份(fen)沿毛細(xi)管(guan)(guan)壁(bi)形成有(you)機雙層向(xiang)負(fu)極(ji)移動(dong)(dong)(dong),帶(dai)負(fu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷的(de)組(zu)分(fen)(fen)被分(fen)(fen)配(pei)至毛細(xi)管(guan)(guan)近(jin)中(zhong)區域,在(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)場作(zuo)(zuo)(zuo)用(yong)下向(xiang)正(zheng)極(ji)移動(dong)(dong)(dong)。與此同(tong)(tong)時,緩(huan)(huan)沖(chong)(chong)液(ye)(ye)的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)滲流(liu)向(xiang)負(fu)極(ji)移動(dong)(dong)(dong),其(qi)(qi)作(zuo)(zuo)(zuo)用(yong)超過(guo)(guo)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)泳,最終導致帶(dai)正(zheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷、中(zhong)性電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷、負(fu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷的(de)組(zu)份(fen)依次通過(guo)(guo)檢(jian)測器。


23
MECC的基(ji)本(ben)原(yuan)理

MECC是在(zai)CZE基礎上(shang)使(shi)用表面(mian)活性(xing)劑來充當膠(jiao)束(shu)相(xiang)(xiang),以膠(jiao)束(shu)增溶(rong)作(zuo)為(wei)分(fen)(fen)(fen)配(pei)原理,溶(rong)質在(zai)水(shui)相(xiang)(xiang)、膠(jiao)束(shu)相(xiang)(xiang)中(zhong)(zhong)的分(fen)(fen)(fen)配(pei)系(xi)數不(bu)同(tong),在(zai)電(dian)(dian)場(chang)作(zuo)用下,毛細管中(zhong)(zhong)溶(rong)液的電(dian)(dian)滲流和(he)膠(jiao)束(shu)的電(dian)(dian)泳(yong),使(shi)膠(jiao)束(shu)和(he)水(shui)相(xiang)(xiang)有不(bu)同(tong)的遷移速度(du),同(tong)時待分(fen)(fen)(fen)離物質在(zai)水(shui)相(xiang)(xiang)和(he)膠(jiao)束(shu)相(xiang)(xiang)中(zhong)(zhong)被多次分(fen)(fen)(fen)配(pei),在(zai)電(dian)(dian)滲流和(he)這種(zhong)分(fen)(fen)(fen)配(pei)過程的雙重作(zuo)用下得(de)以分(fen)(fen)(fen)離。MECC是電(dian)(dian)泳(yong)技術與色譜法的結合,適合同(tong)時分(fen)(fen)(fen)離分(fen)(fen)(fen)析中(zhong)(zhong)性(xing)和(he)帶電(dian)(dian)的樣品分(fen)(fen)(fen)子(zi)。


24
掃描隧(sui)道顯(xian)微鏡(STM)


掃描隧道顯微鏡(STM)的(de)(de)(de)基本原(yuan)(yuan)理是利用量子理論中的(de)(de)(de)隧道效應。將原(yuan)(yuan)子線度的(de)(de)(de)極(ji)細(xi)探(tan)針和(he)被研究物質的(de)(de)(de)表面(mian)作(zuo)為兩個電(dian)(dian)極(ji),當樣品(pin)與針尖(jian)的(de)(de)(de)距離非常(chang)(chang)接近時(通常(chang)(chang)小于1nm),在外加電(dian)(dian)場的(de)(de)(de)作(zuo)用下,電(dian)(dian)子會(hui)穿過兩個電(dian)(dian)極(ji)之間的(de)(de)(de)勢(shi)壘流向另(ling)一電(dian)(dian)極(ji)。這種(zhong)現象即(ji)是隧道效應。


25
原(yuan)子力顯微鏡(AtomicForceMicroscopy,簡稱AFM)


原子(zi)力顯微(wei)(wei)鏡的(de)工作原理就(jiu)是將(jiang)探針裝在一(yi)彈性微(wei)(wei)懸臂(bei)的(de)一(yi)端(duan),微(wei)(wei)懸臂(bei)的(de)另一(yi)端(duan)固定(ding),當探針在樣(yang)品表(biao)面掃描時,探針與樣(yang)品表(biao)面原子(zi)間(jian)的(de)排斥力會使(shi)得微(wei)(wei)懸臂(bei)輕(qing)微(wei)(wei)變形(xing)(xing),這樣(yang),微(wei)(wei)懸臂(bei)的(de)輕(qing)微(wei)(wei)變形(xing)(xing)就(jiu)可以作為(wei)探針和(he)樣(yang)品間(jian)排斥力的(de)直接量度(du)。一(yi)束激光經(jing)微(wei)(wei)懸臂(bei)的(de)背面反射到(dao)光電檢(jian)測(ce)(ce)器,可以精確測(ce)(ce)量微(wei)(wei)懸臂(bei)的(de)微(wei)(wei)小(xiao)變形(xing)(xing),這樣(yang)就(jiu)實現了通過檢(jian)測(ce)(ce)樣(yang)品與探針之間(jian)的(de)原子(zi)排斥力來反映樣(yang)品表(biao)面形(xing)(xing)貌和(he)其他表(biao)面結構。


26
俄歇(xie)電(dian)子能譜(pu)學(xue)(Augerelectronspectroscopy),簡稱(cheng)AES


俄(e)(e)歇(xie)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)能譜(pu)基本原(yuan)理:入射(she)(she)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)束和物(wu)質作用,可以(yi)激(ji)發(fa)出原(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)的內層(ceng)(ceng)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)。外層(ceng)(ceng)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)向(xiang)內層(ceng)(ceng)躍遷過程中所釋放(fang)的能量,可能以(yi)X光的形式(shi)放(fang)出,即產(chan)生特征X射(she)(she)線(xian)(xian),也(ye)可能又(you)使核外另(ling)一(yi)(yi)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)激(ji)發(fa)成為自由(you)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi),這(zhe)種自由(you)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)就是俄(e)(e)歇(xie)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)。對于一(yi)(yi)個(ge)原(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)來說,激(ji)發(fa)態原(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)在釋放(fang)能量時只能進行(xing)一(yi)(yi)種發(fa)射(she)(she):特征X射(she)(she)線(xian)(xian)或俄(e)(e)歇(xie)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)。原(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)序數大(da)的元素(su)(su),特征X射(she)(she)線(xian)(xian)的發(fa)射(she)(she)幾率(lv)較大(da),原(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)序數小(xiao)的元素(su)(su),俄(e)(e)歇(xie)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)發(fa)射(she)(she)幾率(lv)較大(da),當原(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)序數為33時,兩種發(fa)射(she)(she)幾率(lv)大(da)致相等。因此,俄(e)(e)歇(xie)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)能譜(pu)適用于輕元素(su)(su)的分析(xi)。


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